慕课模拟电子电路答案(杭州电子科技大学)

第2次 半导体器件——场效应管1 第2次测验

小提示:本节包含奇怪的同名章节内容

1、 问题:某一电压放大器的幅频特性如图所示，其中频增益为_dB，上限截止频率为_Hz，下限截止频率为____Hz。
选项：
A:20；1000；10
B:40；10000；1000
C:40；10000；0
D:60；1000；0
答案: 【60；1000；0】

2、 问题:场效应管工作时，参与导电的载流子为（）。
选项：
A:多子
B:少子
C:电子
D:空穴
答案: 【多子】

3、 问题:MOSFET中的导电沟道是指其（）？
选项：
A:金属层
B:耗尽层
C:反型层
D:氧化层
答案: 【反型层】

4、 问题:NEMOSFET饱和区的工作条件为                 ，              。
选项：
A:>, <
B:>, >
C:<, <
D: <, >
答案: 【>, >】

5、 问题:某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3 kΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为（  ）kΩ 。
选项：
A:1
B:2
C:3
D:4
答案: 【2】

6、 问题:在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的_电位，PMOS的衬底应接在电路的_电位。
选项：
A:最高，最高
B:最高，最低
C:最低，最高
D:最低，最低
答案: 【最低，最高】

7、 问题:电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V，L=1µm，W=32µm，，忽略沟道长度调制效应，则电阻 =（ ）kΩ，=（ ）kΩ。
选项：
A:5, 3.25
B:4, 6
C:3, 7
D:3.25, 5
答案: 【3.25, 5】

8、 问题:已知某NMOS器件的Vt=1V，，=50V，且工作点电流=0.5mA，则其小信号模型参数=（   ）mA/V，=(   )kΩ。
选项：
A:1,100
B:0.5，50
C:1, 50
D:2,100
答案: 【1,100】

9、 问题:某放大器的电压增益为40dB，因为某种原因增益扩大了10倍，则现在的增益大小为（ ）。
选项：
A:400dB
B:1000V/V
C:60dB
D:30dB
答案: 【1000V/V;
60dB】

10、 问题:已知某N沟道增强型MOS场效应管的。 下表给出了四种状态下和的值，试判断各状态下器件的工作状态。
选项：
A:状态1：饱和区；状态2：饱和区：
B:状态1：截止区；状态2：饱和区
C:状态3：变阻区；状态4：饱和区
D:状态3：饱和区；状态4：变阻区
答案: 【状态1：截止区；状态2：饱和区;
状态3：变阻区；状态4：饱和区】

11、 问题:当时，能够导通的MOS管为（  ）。
选项：
A:NEMOSFET
B:NDMOSFET
C:PEMOSFET
D:PDMOSFET
答案: 【NDMOSFET;
PDMOSFET】

12、 问题:若某放大器的输入信号为电压信号，输出信号为电流信号，则以下描述正确的有（  ）。
选项：
A:该放大器为互导放大器
B:该放大器为互阻放大器
C:理想情况下该放大器输入电阻极高
D:理想情况下该放大器输入电阻极低
E:理想情况下该放大器输出电阻极高
F:理想情况下该放大器输出电阻极低
答案: 【该放大器为互导放大器;
理想情况下该放大器输入电阻极高;
理想情况下该放大器输出电阻极高】

13、 问题:MOSFET做放大器，要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

14、 问题:假设NEMOSFET已工作在饱和区，若继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

15、 问题:在画放大器直流通路时，电容应短路，电感应开路。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

16、 问题:如图所示电路，参考CS放大器传输特性曲线，随着升高，MOSFET从饱和区变化到变阻区，临界条件是输入电压比输出电压低。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

17、 问题:MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

18、 问题:某一电压放大器的幅频特性如图所示，其中频增益为__ __，上限截止频率为_Hz，下限截止频率为_Hz。
选项：
A:20dB；；100
B:20dB；10000；1000
C:100；；100
D:10；；100
E:20dB；100000；100
F:100；10000；100
G:10；；1000
答案: 【20dB；；100;
10；；100;
20dB；100000；100】

19、 问题:MOSFET中的导电沟道是指其（）。
选项：
A:金属层
B:耗尽层
C:反型层
D:氧化层
E:N型区域
F:P型区域
答案: 【反型层】

20、 问题:某个以MOS为核心器件的电路，其输入输出传输特性如图所示，若需要该电路实现放大器功能，应使其核心器件工作在（ ）区域。
选项：
A:AB段
B:OA段
C:BC段
D:OA和BC
E:横坐标大于C点的区域
答案: 【AB段】

21、 问题:某个以MOS为核心器件的电路，其输入输出传输特性如图所示，若需要该电路实现数字逻辑电路功能，应使其核心器件工作在（  ）区域。
选项：
A:OA和BC段
B:AB段
C:OA段
D:BC段
E:横坐标大于C点的区域
答案: 【OA和BC段】

22、 问题:已知MOSFET构成的放大器直流通路和器件物理参数，为判断分该器件是否工作在饱和区，除漏极工作电流外，直流工作点参数还包括哪些？
选项：
A:
B:
C:
D:
E:
答案: 【;
】

23、 问题:在MOS的交流小信号等效电路中，是（  ）。
选项：
A:器件互导参数
B:描述器件在饱和区正向受控作用的关键参数
C:描述器件输入输出信号主要控制关系的参数
D:描述沟道长度调制效应的关键参数
E:描述衬底效应的关键参数
F:描述输出端口电压电流关系的参数
G:描述输入端口电压电流关系的参数
答案: 【器件互导参数;
描述器件在饱和区正向受控作用的关键参数;
描述器件输入输出信号主要控制关系的参数】

24、 问题:放大器的直流偏置电路设计目的是（  ）。
选项：
A:设置合适的工作点位置，以保证较好的放大效果
B:设置合适的交流输入输出范围
C:设置稳定的直流工作点
D:设置较理想的输入电阻
E:设置较理想的输出电阻
F:设置较理想的带宽
答案: 【设置合适的工作点位置，以保证较好的放大效果;
设置合适的交流输入输出范围;
设置稳定的直流工作点】

25、 问题:在画放大器直流通路时，所有交流信号源都应短路。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

26、 问题:在画电路的交流通路时，所有外接信号源都应置零处理。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

【作业】第2次 半导体器件——场效应管1 第2次作业

1、 问题:
评分规则: 【 
】

2、 问题:
评分规则: 【 
】

3、 问题:
评分规则: 【 
】

4、 问题:提示：输入输出波形关系参考如下：左右两张图只是用于示意，请忽略波形不同。
评分规则: 【 
】

5、 问题:
评分规则: 【 
】

第3次半导体器件及应用——场效应管2 第3次测验

1、 问题:CD放大器具有较（  ）的输入电阻和较（  ）的输出电阻。
选项：
A:高，高
B:高，低
C:低，高
D:低，低
答案: 【高，低】

2、 问题:CG放大器具有较（  ）的输入电阻和较（  ）的输出电阻。
选项：
A:高，高
B:高，低
C:低，高
D:低，低
答案: 【低，高】

3、 问题:在下图中如果输入输出均有电容耦合，则将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ时，栅极直流电压将会（），漏极直流电流将会（），输入电阻将会（）。
选项：
A:增大 不变 减小
B:不变 增大 不变
C:不变 不变 减小
D:增大 不变 增大
答案: 【不变 不变 减小】

4、 问题:电路如图所示，如果电容C2开路，则MOSFET的漏极直流电压将会（），漏极交流电压将会（），增益将会（）。
选项：
A: 不变 增大 增大
B:不变 减小 减小
C:增大 减小 不变
D:增大 不变 减小
答案: 【 不变 增大 增大】

5、 问题:I=0.5mA，Vt=1.5V，，VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出电容），要实现增益为15倍的放大电路，则RD=（）kΩ。
选项：
A:10
B:15
C:12.5
D:8
答案: 【15】

6、 问题:VDD=VSS=10V，I=0.5mA，RG=4.7MΩ，RD=15kΩ，Vt=1.5V，，VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出电容），若输入信号由于某种原因，变为了原来的3倍（0.2V→0.6V），则我们改变电路结构由图a变为图b，以保持输出信号大小不变，则RS=（）kΩ。          (a)              (b)
选项：
A:1
B:2
C:0.5
D:0.25
答案: 【2】

7、 问题:用作电压放大器时，CS放大器不合适的参数为（  ）。
选项：
A:不太高的电压增益
B:较高的输入电阻
C:较高的输出电阻
D:较高的带宽
答案: 【较高的输出电阻】

8、 问题:以下哪个MOS放大器组态结构，最适合用在电压信号处理系统的最后一级？
选项：
A:CS组态
B:源极带电阻的CS组态
C:CG组态
D:CD组态
答案: 【CD组态】

9、 问题:CG放大器的性能描述合理的是（  ）。
选项：
A:对电压信号有极好的放大作用
B:对电流信号有极好的放大作用
C:有较高的输入输出电阻
D:可用作电流跟随器
答案: 【可用作电流跟随器】

10、 问题:CS放大器中引入源极电阻RS，其作用有（   ）。
选项：
A:稳定静态工作点
B:控制器件输入信号vgs的大小，避免因vi过大产生非线性失真
C:降低电压增益
D:提高输入输出电阻
答案: 【稳定静态工作点;
控制器件输入信号vgs的大小，避免因vi过大产生非线性失真;
降低电压增益】

11、 问题:CD放大器的性能特征有（  ）。
选项：
A:可作电压跟随器使用
B:可用于多级电路中做缓冲器，进行阻抗变换
C:良好的参数特性使其非常适合用于单级电压放大
D:良好的参数特性使其非常适合用于单级电流放大
答案: 【可作电压跟随器使用;
可用于多级电路中做缓冲器，进行阻抗变换】

12、 问题:CS、CG和CD三种组态中，最适合做电压放大器的还是CS放大器。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

13、 问题:CG放大器因其输入电阻过小，因此没什么用处。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

14、 问题:CD放大器因为源极输出信号几乎与栅极输入信号变化一致，因此被称为“源极跟随器”。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

15、 问题:源极上接有RS的CS放大器以牺牲增益为代价，换取放大器线性输入范围的扩展，因此这个RS越大越好。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

16、 问题:CS放大器的交流输出摆幅主要由工作点位置决定，跟输入信号大小无关。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

【作业】第3次半导体器件及应用——场效应管2 第3次作业

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1、 问题:
评分规则: 【 
】

2、 问题:
评分规则: 【 
】

3、 问题:
评分规则: 【 

】

4、 问题:
评分规则: 【 

】

5、 问题:
评分规则: 【 
】

【作业】第4次 半导体器件及应用——晶体三极管 第4次作业

1、 问题:
评分规则: 【 
】

2、 问题:
评分规则: 【 

】

3、 问题:
评分规则: 【 

】

4、 问题:
评分规则: 【 

】

第4次 半导体器件及应用——晶体三极管 第4次测验

小提示:本节包含奇怪的同名章节内容

1、 问题:发射结（EBJ）正偏，集电结（CBJ）反偏时，BJT工作在（  ）模式。
选项：
A:截止
B:饱和
C:放大
D:反向放大
答案: 【放大】

2、 问题:集电结由于轻掺杂，因此其正向导通电压与发射结不相同，则工程上一般对NPN型的三极管取VBC(on)一般大小为（  ）V。（提示：注意）
选项：
A:0.7
B:0.4
C:0.3
D:-0.4
答案: 【0.4】

3、 问题:在放大模式下，集电极电流与基极电流之间的电流增益可表示为（   ）
选项：
A:α
B:β
C:α（1+α）
D:β（1-β）
答案: 【β】

4、 问题:设图中三极管为硅管，β=50，VBE(on)=0.7V，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区。（）
选项：
A:截止区
B:放大区
C:饱和区
D:其他三个答案均不正确
答案: 【放大区】

5、 问题:试判断如图所示电路的三极管的工作状态，已知β=100,VBE(on)=0.7V。
选项：
A:饱和区
B:截止区
C:放大区
D:其他三个答案均不正确
答案: 【放大区】

6、 问题:晶体三极管工作在放大状态时，发射结加             电压，集电结加          电压。
选项：
A:反偏、反偏
B:正偏、反偏
C:正偏、正偏
D:反偏、正偏
答案: 【正偏、反偏】

7、 问题:对于NPN型BJT组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压             失真；若产生截止失真，则输出电压             失真。（负峰、正峰）
选项：
A:正峰、正峰；
B:正峰、负峰；
C:负峰、负峰；
D:负峰、正峰；
答案: 【负峰、正峰；】

8、 问题:测量某BJT各电极对地电压值如下，，则该晶体管工作在（   ）。
选项：
A:饱和区
B:放大区
C:截止区
D:击穿区
答案: 【饱和区】

9、 问题:如图所示电路中，某放大电路中的器件（三极管或场效应管）三个电极A、B、C的电流用万用表直流电流档测得_=2mA，_B=0.02mA，_C=-2.02mA，则此器件的类型是（）
选项：
A:NPN
B:PNP
C:NMOS
D:PMOS
答案: 【PNP】

10、 问题:测得某放大器中BJT的三个电极1、2、3的对地电位分别为V1=9V，V2=6V，V3=6.7V，则此BJT器件的类型为（）
选项：
A:NPN
B:PNP
C:NPN和PNP都有可能
D:NPN和PNP都不是
答案: 【NPN】

11、 问题:下列对BJT小信号模型描述正确的语句有（  ）。
选项：
A:小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式
B:BJT器件型号确定后，小信号模型的参数也就确定了
C:电路工作点确定后，小信号模型的参数也就确定了
D:不同结构类型的BJT器件小信号模型是不一样的
答案: 【小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式;
电路工作点确定后，小信号模型的参数也就确定了】

12、 问题:如图(a)所示的共射放大电路，加入射极反馈电阻RE后变为图(b)，电路性能出现了怎样的变化？                     (a)                                           (b)
选项：
A:增益变小
B:线性输入范围变大
C:输入电阻变大
D:输出电阻变小
答案: 【增益变小;
线性输入范围变大;
输入电阻变大】

13、 问题:晶体三极管放大器直流偏置参数一般包括（   ）。
选项：
A:
B:
C:
D:
E:
F:
G:
答案: 【;
;
;
】

14、 问题:CB放大器性能特征有（   ）。
选项：
A:较高的电压增益，很适合做电压放大
B:输入电阻极低，不利于电压放大
C:输出电阻较高，不利于电压放大
D:电流增益小于1但接近于1，可作电流跟随器
E:源电压增益低，适合做电压跟随器
答案: 【输入电阻极低，不利于电压放大;
输出电阻较高，不利于电压放大;
电流增益小于1但接近于1，可作电流跟随器】

15、 问题:CC放大器性能特征有（   ）。
选项：
A:输入电阻高
B:输出电阻极低
C:电压增益小于1，但接近于1
D:电流增益高，适合作电流放大器
E:电压跟随器，适合作放大器的缓冲级
F:输入输出电阻性能符合电压放大器特征，适合作电压放大
答案: 【输入电阻高;
输出电阻极低;
电压增益小于1，但接近于1;
电压跟随器，适合作放大器的缓冲级】

16、 问题:放大电路如图所示，则下面的说法正确的是（）
选项：
A:该电路为共集电极放大器（射极跟随器）
B:该组态放大器输入电阻较高
C:输出电阻较低
D:电压增益小于1接近于1
答案: 【该电路为共集电极放大器（射极跟随器）;
该组态放大器输入电阻较高;
输出电阻较低;
电压增益小于1接近于1】

17、 问题:放大器电路如图所示，如果电容E 失效（断开），请问对放大 器输入电阻和电压增益有何影响( )
选项：
A:输入电阻增大
B:输入电阻减小
C:电压增益 减小
D:电压增益 增大
答案: 【输入电阻增大;
电压增益 减小】

18、 问题:共集电极放大电路的特点是：输入电阻Ri 较高
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

19、 问题:共集电极放大电路的特点是：输出电阻Ro较高
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

20、 问题:共集电极放大电路的电压放大倍数Av约为1V/V。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

21、 问题:由于BJT器件在放大模式下的IB电流不够小，因此其分压式偏置电路的分析比FET要复杂得多，尤其是基极电压VB不能直接靠分压器分压求解。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

22、 问题:工程估算法在计算BJT分压式偏置电路工作点时，需要满足一定的工程条件才能使用，该工程条件实际上隐含了“偏置电阻取值使得IB电流足够小，从而可以忽略其对分压器电流的分流”这一重要前提。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

23、 问题:晶体管三种基本组态放大电路中，共基组态输入电阻最低，输出电阻最低。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

24、 问题:NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

25、 问题:某个以BJT为核心器件的电路，其输入输出传输特性如图所示，若需要该电路实现数字逻辑电路功能，应使其核心器件工作在（  ）区域。
选项：
A:OX和YZ段
B:OX段
C:YZ段
D:XY段
E:横坐标大于Z点的区域
答案: 【OX和YZ段】

26、 问题:某个以BJT为核心器件的电路，其输入输出传输特性如图所示，若需要该电路实现信号放大功能，应使其核心器件工作在（  ）区域。
选项：
A:XY段
B:OX段
C:YZ段
D:OX和YZ段
E:横坐标大于Z点的区域
答案: 【XY段】

27、 问题:BJT三种基本放大器结构中，能用作电压缓冲级的是（  ）放大器。
选项：
A:共集
B:CC
C:共射
D:CE
E:共基
F:CB
答案: 【共集;
CC】

28、 问题:BJT三种基本放大器结构中，能用做电流缓冲级的是（  ）放大器。
选项：
A:共基
B:CB
C:共射
D:CE
E:共集
F:CC
答案: 【共基;
CB】

29、 问题:放大电路如图所示，则下面的说法正确的是（）
选项：
A:该电路为共集电极放大器（射极跟随器）
B:该组态放大器输入电阻较高
C:输出电阻较低
D:电压增益小于1接近于1
答案: 【该电路为共集电极放大器（射极跟随器）;
该组态放大器输入电阻较高;
输出电阻较低;
电压增益小于1接近于1】

30、 问题:放大器电路如图所示，如果电容失效（断开），请问对放大器输入电阻和电压增益有何影响( )
选项：
A:输入电阻增大
B:输入电阻减小
C:电压增益 减小
D:电压增益 增大
答案: 【输入电阻增大;
电压增益 减小】

31、 问题:NPN器件工作在放大区时有，PNP器件工作在放大区时有同样的结论。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

32、 问题:对于NPN型BJT组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压             失真；若产生截止失真，则输出电压             失真。（负峰、正峰）

选项：
A:正峰、正峰；
B:正峰、负峰；
C:负峰、负峰；
D:负峰、正峰；
答案: 【负峰、正峰；】

【作业】第5次 集成运放单元电路1 第5次作业